技術簡介

半導體製造業上游之晶圓加工製程,為提高晶圓表面之平整度而須進行磨光(polishing)處理, 一般常用含氧化矽膠體顆粒之研磨液,其粒徑介於20-30nm,然因其粒子凝聚特性,可使粒徑增長至200nm,並持續凝聚變大。隨著製程操作之進行,研磨粒子逐漸凝聚增長(700-1,500nm)與損耗,且晶圓或機件碎屑等雜質將逐漸增多,終將使研磨廢液品質無法符合要求而須更換。 
本技術係將廢棄之研磨廢液,經過濾、成分調整與再分散(re-dispersion)等處理後回收再利用,以達到廢棄物資源化之目的。研磨廢液先依所含污染物濃度分別收集,低濃度(研磨清洗)廢液經pH調整後,貯存作為廢液回收設備之清洗用水;高濃度(研磨)廢液則先經粗粒過濾(薄膜孔徑100-200μm),去除研磨顆粒以外之大顆粒雜質、細粒過濾(薄膜孔徑0.25μm)去除微細污染物與研磨顆粒,再經研磨液成分調整,使研磨液之分散介質維持1%氨水濃度。為避免氧化矽膠體顆粒之凝聚,利用電磁裝置、分散劑(陰離子性表面活性劑)與超音波(功率400-800W,頻率10-30kHz)使研磨粒子保持分散狀態。處理後之回收研磨液再與新液混合,經成分檢測與調整後,回送至生產線使用。 

技術特色

1.98%以上之研磨粒子可被回收再利用。 
2.屬線上回收技術,回收再生之研磨液可立即回至製程使用。 

應用範圍

半導體製造業。